在2019年拉斯维加斯举行的“首看”活动中，三星发布了一款新型模块化75英寸4K分辨率微型LED显示屏：“窗”，与三星2018年在CES上推出的“墙”相比，“窗”芯片密度更高，分辨率更好，展品令人惊叹，引起了业界的关注和讨论。目前，微型LED显示技术正处于蓬勃发展的阶段，正在向市场应用靠拢，并对未来充满期待。
微LED知识馆
微型LED显示器的结构是一个微型LED阵列。目前，单个微型LED芯片的尺寸可以小于10μm，是传统LED尺寸的1%。每个微光LED可以看作一个像素，每个像素可以实现地址控制和单独的驱动器自发光。在结构上，微LED是由P型GaN材料和N型GaN材料紧密接触形成的P-N结接触型二极管。当正向电压施加于P N结时，即正向电压施加于P型GaN侧，负向电压施加于N型GaN侧，PN结两侧的载流子可以容易地相互形成。运动，然后电子空穴的辐射复合，产生光发射。微LED阵列通过垂直交错的正负极栅电极连接每个微LED的正负极，并通过电极线依次通电以扫描方式点亮微LED以显示图像。
由于微LED芯片特殊的结构特点和发光原理，基于微LED芯片的显示器具有像素高、色彩饱和度高、功耗低、亮度高、响应快、寿命长等显著优点。在显示质量方面，Micro-LED的尺寸可以小到10μm，因此Micro-LED显示屏可以集成极高的像素密度。据相关资料显示，目前市场上的OLED显示屏iPhoneX像素密度为458ppi，而微显示屏的像素密度可以达到2000ppi或更高；在性能方面，微LED是由无机材料组成，相比之下有机发光材料更容易被OLED烧毁。Micro-LED屏幕将持续更长时间；在技术层面，Micro-LED显示为单点驱动自发光技术，具有超快速响应速度和纳秒（ns）效率。例如在虚拟现实行业中，由于微LED的响应速度极快，可以有效地解决抹黑和延时问题，消除虚拟现实用户的眩晕，大大提高沉浸感，提升用户体验。在能耗方面，PN结是一种典型的高亮度、低功耗的微LED结构，可以提高可穿戴器件的使用寿命。
正是因为如此优异的性能，吸引了三星、LG、索尼、京东方、华星等面板厂商积极开展技术研发储备，微LED显示技术正迅速发展。
微型LED显示屏中的关键激光剥离技术
微型LED显示屏具有优越的性能，但在技术层面上仍有待突破。其中的关键技术之一是外延衬底的剥离。基于GaN发光材料的微LED芯片具有较低的晶格失配度，且价格低廉，因此蓝宝石衬底成为外延生长GaN材料的主流衬底。然而，蓝宝石衬底的非导电性和较差的导热性影响了微LED器件的发光效率。同时，脆性材料蓝宝石不利于微LED在柔性显示方向上的应用。基于以上原因和微LED显示屏本身的高分辨率、高亮度、高对比度等优点，激光剥离蓝宝石是必不可少的关键环节，而激光剥离技术可以突出微LED的优势。
激光剥离过程本质上是一种单脉冲扫描过程，因此对激光束的均匀性和稳定性有很高的要求。由于对激光技术和工艺稳定性的要求极高，世界上拥有这项技术并能用于稳定生产的公司并不多。现阶段，国内激光器大多是稳定生产的代表。
